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項目名稱：???高真空磁控濺射系統一套???項目編號：???ZBZXHB******
公告開始日期：???2025-07-10 14:40:48???公告截止日期：???2025-07-15 15:00:00
采購單位：******大學???付款方式：???請查看比選文件
到貨時間要求：???合同簽訂后150個日歷日內
預算總價：???￥990000.00
收貨地址：???望江校區第一理科樓樓中124 房間
采購清單采購商品：???高真空磁控濺射系統???采購數量：???1???計量單位：???臺???所屬分類：???其他試驗儀器及裝置
品牌：???-
型號：???-
預算單價：???￥990000.00
技術參數及配置要求：???該設備具有可控制的磁場、穩定的氬氣控制方案，主要用于在超高真空環境中制備單層、多層薄膜，主要為多層金屬薄膜、合金薄膜、半導體材料薄膜、氧化物薄膜等；濺射方式主要有直流濺射以及射頻濺射。一、真空系統：1.▲超高真空304不銹鋼圓柱體反應腔體，尺寸不小于450mm高×350mm直徑；腔體頂部采用橡膠圈密封，底部采用金屬密封；采用前開門設計，方便打開腔體；主腔體配備不少于1個6英寸觀察窗，帶手動擋板；2.★極限真空度：8×10－5Pa；3.恢復真空時間：大氣至3×10－3Pa≤15min；4.保真空：達到極限真空度后，關閉高真空閥一小時，真空室真空度≤7×10-1Pa；5.▲電動蝶閥采用伺服控制，用于自動恒真空系統，使濺射使真空保持恒定。6.★真空系統配置：分子泵和前級泵組合，配軟抽閥及軟放閥(可減少真空室排大氣時湍流對工件的影響), 管道通徑為16mm，真空系統管道采用不銹鋼材料，管道軟連接處采用金屬波紋管；各真空閥門為氣動閥門。二、工藝能力：1.制造商需要配合用戶做工藝設計和工藝參數調整；2.★制造商需具備一定的技術基礎與工藝能力，采用磁控濺射單一技術，制備Ni金屬單質薄膜，厚度≥300nm，基底尺寸要求＞φ50mm，基底材質為PI基材），并在投標時提供樣品的測試數據（附在投標文件中）。要求樣品肉眼觀察無明顯裂紋，背面用光源照射時也不會出現明顯裂紋。3.▲根據工藝要求，設備成膜均勻性最優可達（SiO2）：±1.5% @ 200mm基片（去除邊緣5mm）；三、樣品臺系統： 1.★樣品臺具備濺射4英寸基片的能力并向下兼容，安裝在真空腔頂部，向上濺射，樣品臺配置最高溫度不低于800℃，加熱系統采用控溫精度±1℃；2.▲樣品臺可調工作距離不少于70mm，鋁合金材質；3.工件轉動的動密封為磁流體密封，工件盤軸向、徑向跳動≤±2.5%；四、電源和靶系統：1.★主腔室底部配置不少于3套4英寸（使用直徑4英寸的靶材）靶槍；2.所有靶槍均配備獨立的氣動擋板和套筒，防止靶材交叉污染；3.所有靶槍適應直流電源或射頻電源工作模式；4.★靶槍電源包括：不少于2套功率500W直流電源，帶專用4路切換器，通過切換器，其中1個直流電源可連接4個靶槍，通過電腦控制切換給不同靶槍供電；不少于1套功率600W射頻電源，帶自動匹配網絡及輸出電纜；五、電控系統：1.▲控電柜采用一體式，儀表安裝柜采用非標準英尺寸，另一側作為電器元件安裝柜結構為大板式，便于安裝維護，元器件損壞時應易于檢測和更換；2.★配不小于15寸觸摸屏控制功能，具有良好的人機界面與操作功能，可實現濺射鍍膜過程全自動化控制，從排氣到濺射鍍膜結束整個過程一鍵式自動控制，安全連鎖的操作系統；3.控電柜內主要電器外購件均選用通過CE認證或ISO9001認證的生產廠商的產品，確保安全可靠。六、樣品處理裝置1. 加熱板材質：陶瓷涂層鋁合金2. 攪拌速度：50-1500rpm3. 溫度范圍：室溫-320℃4. 具備計時功能5. 具備自動反轉功能七、配置清單1. 真空腔體1套；2. 分子泵和直聯泵各1套；3. 射頻電源2套，直流電源1套；4. 電控一體機1套；5. 冷卻循環水1套；6. 樣品處理裝置1套；7. 滿足招標要求的其他配置；
售后服務：???服務年限:12月;電話支持:7x24小時;商品承諾:原廠全新未拆封正品;質保期:一年;
